STPSC2H065B-TR 인라인 TO-252: 650V, 2A MOS FET의 탁월성

MOS FET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)는 전자 회로에서 널리 사용되는 필수적인 전력 전자 장치입니다. 이러한 장치는 전압을 제어하여 전류 흐름을 스위칭하는 데 사용됩니다. STPSC2H065B-TR 인라인 TO-252는 이러한 목적에 이상적인 고성능 MOS FET입니다.

STPSC2H065B-TR의 주요 특징

• 650V의 높은 역방 파괴 전압
• 2A의 연속 드레인 전류
• 낮은 온 저항(0.065Ω)
• 고속 스위칭 속도
• TO-252 패키지의 견고한 구조

STPSC2H065B-TR의 장점

• 뛰어난 전력 효율성: 낮은 온 저항으로 인해 전력 손실이 최소화됩니다.
• 안정적인 성능: 높은 역방 파괴 전압으로 과도 전압에 견딜 수 있습니다.
• 빠른 스위칭: 고속 스위칭 속도로 인해 고주파 응용 분야에 적합합니다.
• 견고한 구조: TO-252 패키지는 내구성과 열적 성능을 제공합니다.
• 다양한 응용 분야: 전원 공급 장치, 모터 제어, 인버터 등 다양한 전력 전자 응용 분야에 적합합니다.

STPSC2H065B-TR의 응용 분야

• 스위칭 전원 공급 장치
• 모터 제어
• 인버터
• DC-DC 컨버터
• 조명 제어

MOS FET의 선택 기준

적합한 MOS FET를 선택할 때 고려해야 할 몇 가지 주요 요소는 다음과 같습니다.

• 역방 파괴 전압: 회로에서 발생할 수 있는 최대 전압을 처리할 수 있어야 합니다.
• 드레인 전류: 장치를 통해 흐를 수 있는 최대 전류를 결정합니다.
• 온 저항: 장치의 전력 손실에 영향을 미칩니다.
• 스위칭 속도: 응용 분야의 주파수 요구 사항을 충족해야 합니다.
• 패키지 유형: 장치의 크기, 열적 성능, 연결 방법을 결정합니다.

STPSC2H065B-TR: 비교할 수 없는 선택

STPSC2H065B-TR 인라인 TO-252는 높은 역방 파괴 전압, 낮은 온 저항, 고속 스위칭 속도를 결합한 탁월한 MOS FET입니다. 다양한 전력 전자 응용 분야에 적합하며 안정적이고 효율적인 성능을 보장합니다.

FAQ

Q: STPSC2H065B-TR의 주요 장점은 무엇입니까?
A: 높은 역방 파괴 전압, 낮은 온 저항, 고속 스위칭 속도, 견고한 구조입니다.

Q: STPSC2H065B-TR은 어떤 응용 분야에 적합합니까?
A: 스위칭 전원 공급 장치, 모터 제어, 인버터, DC-DC 컨버터, 조명 제어 등 다양한 전력 전자 응용 분야에 적합합니다.

Q: MOS FET를 선택할 때 가장 중요한 고려 사항은 무엇입니까?
A: 역방 파괴 전압, 드레인 전류, 온 저항, 스위칭 속도, 패키지 유형입니다.

1. 650V 정격 전압
2. 2A 정격 전류
3. TO-252 인라인 패키지

1. RGB 색상 (빨간색, 녹색, 파란색)
2. 1210 크기 (1.2mm x 1.0mm)
3. PLCC-2 패키지

1. 재설정 가능
2. 최대 전압: 72V
3. 다양한 전류 정격: 0.9A, 1.1A, 1.35A, 1.65A, 1.85A

1. 매우 빠른 스위칭 시간
2. 낮은 정방향 전압 강하
3. 높은 피크 역전압

1. 울트라 브라이트 LED 라이트
2. 화이트 라운드 워터 클리어 울트라 브라이트 LED 라이트
3. 100개/로트 F5, 5mm

1. 넓은 주파수 범위(3.579545MHz ~ 6.7458MHz)
2. 낮은 위상 잡음
3. 높은 안정성

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